第82章 大丰收 (第2/5页)

好好利用btc操作系统时，

系统的声音再次响起。

【叮……！】

【额外奖励！】

【恭喜宿主完成隐藏任务：登上热搜榜第一名，获得特殊奖励——】

【u3高速读写tf内存卡生产图纸一张，品质：良好（b级），可下载。】

【3d nand(多层数存储的闪存类型)——cjiang架构专利技术，品质：优秀（a级），可下载。】

竟然还有隐藏奖励。

莫燃微微一愣，随即注意力转移到眼前的两个奖励上来。

不过，看到第一个奖励时他情不自禁的摇头笑了笑。

竟然奖励了一个tf内存卡的生产图纸。

他是知道的，最近因为“尼采x1”的出现，网络上引起了不少关于tf内存卡的争论。

而“尼采x1”作为一款“可扩展tf内存卡”的手机，自然被卷入这场旋涡，成为tf内存卡的代言人。

甚至，这些天他也在考虑要不要出厂时每部手机赠送一块内存卡。

没想到现在系统竟然给了他一份tf内存卡的生产图纸，这难道是在预示着让尼采进军tf内存卡界？

自产自销？

倒也不是不可以。

略微感慨的笑了笑，不过等他看到第二个奖励时，有些懵了。

首先。

3d-nand是什么？

莫燃也没着急，随即退出系统在网络上搜索了一下。

原来。

3d-nand是一种新兴的闪存类型（存储类型）。

传统的内存卡大多是使用2d-nand的方式，也就是通过2d平面的方式将内存颗粒有序排列，最终制造生产成为一张张比如2gb、4gb、8gb的内存卡。

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2d平面结构的设计导致空间比较小，内存卡的储存容量也就相应比较小，经过这么多年研发后2d-nand方案已经基本达到了扩展极限。

而3d-nand则不同了。

简单的说。

3d-nand是一种全新的闪存设计理念，将以前的2d平面设计变成3d设计，从而可以在平面上不断的增加层数、增加内存晶片的数量，从而制造出更大容量的内存卡。

就好比以前的2d是一栋栋小平房，

现在的3d则是在小平房上盖起三四十楼的高楼大厦一样，储存的容量加大，读写速度加快、耐用性大幅度提高，甚至，每千兆字节的成本也大幅下降。

最令莫燃惊喜的是，

放眼全球，

“3d-nand”闪存设计也就仅仅只有三星电子、英特尔和全球最大的半导体储存制造商——镁光有一点点成果！

而国内！

“3d-nand”新一代闪存芯片完全是一片空白！

可以说，

如果第一个奖励是让尼采公司可以利用生产图纸生产一款“u3高速读写的tf卡”。

那么，第二个奖励，

无疑是让尼采获得了全球最新“3d-nand”闪存下的“cjiang架构专利技术”。

接下来，尼采完全可以组建研发团队，利用“cjiang架构”大力研发出更多3d-nand的新兴储存产品！

比如tf内存卡、比如u盘，比如固态硬盘！

甚至。

完全可能成为镁光、三星、西部数码这些大型国际厂商的竞争对手，弥补国产厂家在内存卡、固态硬盘上长期的空白！

这是拿到了内存芯片行业的入